专注IC现货，您所值得信赖的IC供应商！欢迎联系我们获取IC报价，无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线：13715289436

当前位置:  Infineon(英飞凌)  >>  Infineon相关型号  >>  IRL3705NPBF详细信息

IRL3705NPBF相关型号

  • IPB65R190CFDATMA1

    MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2

  • IPI65R190CFD

    MOSFET N-Ch 650V 17.5A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

  • IPL65R210CFDAUMA1

    MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS

  • IPW65R190CFDFKSA2

    MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther

  • IPA65R150CFD

    MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3

  • IPB65R190CFDA

    MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

  • IPL65R165CFDAUMA1

    MOSFET HIGH POWER_LEGACY

  • IPI111N15N3 G

    MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3 OptiMOS 3

Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRL3705NPBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IRL3705NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:55 V
  • Id-连续漏极电流:77 A
  • Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:16 V
  • Qg-栅极电荷:65.3 nC
  • Pd-功率耗散:130 W
  • 配置:Single
  • 封装:Tube
  • 高度:15.65 mm
  • 长度:10 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.4 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 零件号别名:SP001578520
  • 单位重量:6 g

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

Infineon(英飞凌)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

深圳市科之盛科技有限公司

国内从事Infineon(英飞凌)产品的销售，大小批量出货

7X24小时询价热线

13715289436

粤ICP备2021008877号 技术支持：

我们一直持续专注
现货极具优势
无起订量限制
极速报价出货
13715289436
13715289436
QQ询价
微信询价
绝对原装正品